AP4957AGM

MOSFET P-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 7.400 A
RDSon 0.0260 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 6.5 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 190 pF
|Id| - Maximum Drain Current 7.4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.026 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4957AGM:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4957AGM?

Los reemplazos compatibles para el AP4957AGM incluyen: 2SK711, AP4920GM-HF, AP4924GM, AP4933GM-HF, AP4936GM, AP4951GM, AP4951GM-HF, AP4953GM-HF, AP4955GM, AP4957GM, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4957AGM?

El AP4957AGM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4957AGM?

El AP4957AGM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.400 A.

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