AP4957GM

MOSFET P-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 7.700 A
RDSon 0.0240 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 11 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 530 pF
|Id| - Maximum Drain Current 7.7 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.024 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4957GM:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4957GM?

Los reemplazos compatibles para el AP4957GM incluyen: 2SK711, AP4924GM, AP4933GM-HF, AP4936GM, AP4951GM, AP4951GM-HF, AP4953GM-HF, AP4955GM, AP4957AGM, AP4959GM, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4957GM?

El AP4957GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4957GM?

El AP4957GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.700 A.

Scroll al inicio