AP4959GM
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
16.000 V
Id Max.
4.700 A
RDSon
0.0650 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 19 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 175 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 16 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.065 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4959GM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4959GM?
Los reemplazos compatibles para el AP4959GM incluyen: 2SK2842, 2SK711, AP4933GM-HF, AP4936GM, AP4951GM, AP4951GM-HF, AP4953GM-HF, AP4955GM, AP4957AGM, AP4957GM, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4959GM?
El AP4959GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4959GM?
El AP4959GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 16.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.700 A.