AP4961GM

MOSFET P-Channel SO9

Parametros Principales

Vds Max. 20.000 V
Id Max. 7.000 A
RDSon 0.0280 Ω
Vgs Max. 8.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO9
tr - Rise Time 17 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 235 pF
|Id| - Maximum Drain Current 7 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 8 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.028 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4961GM:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4961GM?

Los reemplazos compatibles para el AP4961GM incluyen: 2SK711, AP4936GM, AP4951GM, AP4951GM-HF, AP4953GM-HF, AP4955GM, AP4957AGM, AP4957GM, AP4959GM, AP4963GEM-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4961GM?

El AP4961GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO9.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4961GM?

El AP4961GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.

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