AP4963GEM-HF

MOSFET N-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 6.000 A
RDSon 0.0360 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 9.5 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 180 pF
|Id| - Maximum Drain Current 6 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.036 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4963GEM-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4963GEM-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP4963GEM-HF incluyen: 2SK711, AP4951GM, AP4951GM-HF, AP4953GM-HF, AP4955GM, AP4957AGM, AP4957GM, AP4959GM, AP4961GM, AP9467AGH-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4963GEM-HF?

El AP4963GEM-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4963GEM-HF?

El AP4963GEM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.

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