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MOS
FET

MOSFET AP50N04GD N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado PDFN5X6-8L — Vds=40V, Id=30A, RDSon=0.015Ω, 35W

MOSFET N-Channel PDFN5X6-8L 35.000 W

Parametros principales

Vds Max 40 V

Id Max 30 A

RDSon 0.015 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 35 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	PDFN5X6-8L
tr - Rise Time	9 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	114 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	30 A
Pd - Maximum Power Dissipation	35 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.015 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del AP50N04GD:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel AP4812 MOSFET N-Channel AP4812S MOSFET N-Channel AP4846 MOSFET N-Channel AP4847 MOSFET N-Channel AP4946S MOSFET N-Channel AP5040QD MOSFET N-Channel AP50N04K MOSFET N-Channel AP50N04Q MOSFET N-Channel AP50N04QD MOSFET N-Channel AP50N06K MOSFET N-Channel AP5N10M MOSFET N-Channel

¿Que es el AP50N04GD?

El AP50N04GD es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado PDFN5X6-8L. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 30A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.015 Ohm.

Los MOSFET como el AP50N04GD se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el AP50N04GD

¿Con que transistor puedo reemplazar el AP50N04GD?

Los reemplazos compatibles para el AP50N04GD incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP4812, AP4812S, AP4846, y 8 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el AP50N04GD?

El AP50N04GD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PDFN5X6-8L. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=30A, RDSon=0.015Ω, 35W.

¿Cual es el voltaje maximo del AP50N04GD?

El AP50N04GD soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el AP50N04GD?

El AP50N04GD viene en encapsulado PDFN5X6-8L. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el AP50N04GD?

El AP50N04GD se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del AP50N04GD?

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