AP50T10GJ-HF

MOSFET N-Channel TO251

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 37.000 A
RDSon 0.0300 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 89.200 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO251
tr - Rise Time 42 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 190 pF
|Id| - Maximum Drain Current 37 A
Pd - Maximum Power Dissipation 89.2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.03 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP50T10GJ-HF:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel AP50T10AGI-HF MOSFET N-Channel AP50T10GH-HF MOSFET N-Channel AP50T10GI-HF MOSFET N-Channel AP50T10GM-HF MOSFET N-Channel AP50T10GP-HF MOSFET N-Channel AP50T10GS-HF MOSFET N-Channel AP5321GM-HF MOSFET N-Channel AP5322GM-HF MOSFET N-Channel AP5331GM-HF MOSFET N-Channel AP9467AGM-HF MOSFET N-Channel AP9467AGMT-HF MOSFET N-Channel AP9467GH-HF MOSFET N-Channel AP9467GJ-HF MOSFET N-Channel AP9467GS MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP50T10GJ-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP50T10GJ-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP50T10AGI-HF, AP50T10GH-HF, AP50T10GI-HF, y 11 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP50T10GJ-HF?

El AP50T10GJ-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.

¿Cual es el voltaje maximo del AP50T10GJ-HF?

El AP50T10GJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 37.000 A.

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