AP55T06GS-HF

MOSFET N-Channel TO263

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 32.400 A
RDSon 0.0180 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 39.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO263
tr - Rise Time 44 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 160 pF
|Id| - Maximum Drain Current 32.4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 39 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.018 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP55T06GS-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP55T06GS-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP55T06GS-HF incluyen: 10N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP50T10GP-HF, AP50T10GS-HF, y 12 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP55T06GS-HF?

El AP55T06GS-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.

¿Cual es el voltaje maximo del AP55T06GS-HF?

El AP55T06GS-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 32.400 A.

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