AP55T10GS-HF
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
54.000 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 320 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 54 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP55T10GS-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP55T10GS-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP55T10GS-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP5331GM-HF, AP55T06GI-HF, AP55T06GS-HF, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP55T10GS-HF?
El AP55T10GS-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AP55T10GS-HF?
El AP55T10GS-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 54.000 A.