AP60N03GJ

MOSFET N-Channel TO251

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 55.000 A
RDSon 0.0135 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 62.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO251
tr - Rise Time 81 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 440 pF
|Id| - Maximum Drain Current 55 A
Pd - Maximum Power Dissipation 62.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0135 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP60N03GJ:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP60N03GJ?

Los reemplazos compatibles para el AP60N03GJ incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP55T06GI-HF, AP55T06GS-HF, AP55T10GH-HF, y 12 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP60N03GJ?

El AP60N03GJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.

¿Cual es el voltaje maximo del AP60N03GJ?

El AP60N03GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 55.000 A.

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