AP60N03GS

MOSFET N-Channel TO263

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 55.000 A
RDSon 0.0135 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 62.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO263
tr - Rise Time 81 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 440 pF
|Id| - Maximum Drain Current 55 A
Pd - Maximum Power Dissipation 62.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0135 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP60N03GS:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP60N03GS?

Los reemplazos compatibles para el AP60N03GS incluyen: 2SK711, AP55T06GS-HF, AP55T10GH-HF, AP55T10GI-HF, AP55T10GP-HF, AP55T10GS-HF, AP60N03GH, AP60N03GJ, AP60N03GP, AP60T03GH-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP60N03GS?

El AP60N03GS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.

¿Cual es el voltaje maximo del AP60N03GS?

El AP60N03GS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 55.000 A.

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