AP60T03GS
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
45.000 A
RDSon
0.0120 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
44.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 57.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 45 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 44 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.012 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP60T03GS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP60T03GS?
Los reemplazos compatibles para el AP60T03GS incluyen: 2SK711, AP60N03GH, AP60N03GJ, AP60N03GP, AP60N03GS, AP60T03GH-HF, AP60T03GI, AP60T03GJ-HF, AP60T03GP, AP60T06GJ-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP60T03GS?
El AP60T03GS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AP60T03GS?
El AP60T03GS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 45.000 A.