AP60T06GJ-HF
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
55.000 V
Id Max.
46.000 A
RDSon
0.0120 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
44.600 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 42 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 240 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 46 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 44.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 55 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.012 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP60T06GJ-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP60T06GJ-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP60T06GJ-HF incluyen: 2SK711, AP60N03GJ, AP60N03GP, AP60N03GS, AP60T03GH-HF, AP60T03GI, AP60T03GJ-HF, AP60T03GP, AP60T03GS, AP60T06GP-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP60T06GJ-HF?
El AP60T06GJ-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP60T06GJ-HF?
El AP60T06GJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 46.000 A.