AP60T10GI-HF
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
34.000 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
44.600 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 41 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 400 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 34 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 44.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP60T10GI-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP60T10GI-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP60T10GI-HF incluyen: BS170, 2SK711, AP60N03GS, AP60T03GH-HF, AP60T03GI, AP60T03GJ-HF, AP60T03GP, AP60T03GS, AP60T06GJ-HF, AP60T06GP-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP60T10GI-HF?
El AP60T10GI-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del AP60T10GI-HF?
El AP60T10GI-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 34.000 A.