AP62T03GH
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
54.000 A
RDSon
0.0120 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
47.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 56 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 190 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 54 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 47 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.012 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP62T03GH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP62T03GH?
Los reemplazos compatibles para el AP62T03GH incluyen: 2SK711, AO3401, AP60T03GJ-HF, AP60T03GP, AP60T03GS, AP60T06GJ-HF, AP60T06GP-HF, AP60T10GI-HF, AP60T10GP, AP60T10GS, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP62T03GH?
El AP62T03GH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP62T03GH?
El AP62T03GH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 54.000 A.
