AP62T03GJ

MOSFET N-Channel TO251

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 54.000 A
RDSon 0.0120 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 47.000 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO251
tr - Rise Time 56 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 190 pF
|Id| - Maximum Drain Current 54 A
Pd - Maximum Power Dissipation 47 W
Tj - Maximum Junction Temperature 175 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.012 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP62T03GJ:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP62T03GJ?

Los reemplazos compatibles para el AP62T03GJ incluyen: 2SK711, AP60T03GP, AP60T03GS, AP60T06GJ-HF, AP60T06GP-HF, AP60T10GI-HF, AP60T10GP, AP60T10GS, AP62T03GH, AP6618GM-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP62T03GJ?

El AP62T03GJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.

¿Cual es el voltaje maximo del AP62T03GJ?

El AP62T03GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 54.000 A.

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