AP62T03GJ
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
54.000 A
RDSon
0.0120 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
47.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 56 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 190 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 54 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 47 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.012 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP62T03GJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP62T03GJ?
Los reemplazos compatibles para el AP62T03GJ incluyen: 2SK711, AP60T03GP, AP60T03GS, AP60T06GJ-HF, AP60T06GP-HF, AP60T10GI-HF, AP60T10GP, AP60T10GS, AP62T03GH, AP6618GM-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP62T03GJ?
El AP62T03GJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP62T03GJ?
El AP62T03GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 54.000 A.
