AP6677GH

MOSFET P-Channel TO252

Parametros Principales

Vds Max. 40.000 V
Id Max. 60.000 A
RDSon 0.0123 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 69.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
tr - Rise Time 60 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 560 pF
|Id| - Maximum Drain Current 60 A
Pd - Maximum Power Dissipation 69 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0123 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6677GH:

2SK711 MOSFET N-Channel AP60T06GJ-HF MOSFET N-Channel AP60T06GP-HF MOSFET N-Channel AP60T10GI-HF MOSFET N-Channel AP60T10GP MOSFET N-Channel AP60T10GS MOSFET N-Channel AP62T03GH MOSFET N-Channel AP62T03GJ MOSFET N-Channel AP6618GM-HF MOSFET N-Channel AP6679BGH-HF MOSFET P-Channel AP6679BGI-HF MOSFET P-Channel AP6679BGM-HF MOSFET P-Channel AP6679BGP-HF MOSFET P-Channel AP6679GH-HF MOSFET P-Channel AP6679GI-HF MOSFET P-Channel AP6679GJ-HF MOSFET P-Channel AP6679GM-HF MOSFET P-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP6677GH?

Los reemplazos compatibles para el AP6677GH incluyen: 2SK711, AP60T06GJ-HF, AP60T06GP-HF, AP60T10GI-HF, AP60T10GP, AP60T10GS, AP62T03GH, AP62T03GJ, AP6618GM-HF, AP6679BGH-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP6677GH?

El AP6677GH es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP6677GH?

El AP6677GH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.

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