AP6679BGH-HF

MOSFET P-Channel TO252

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 63.000 A
RDSon 0.0090 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 54.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
tr - Rise Time 67 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 520 pF
|Id| - Maximum Drain Current 63 A
Pd - Maximum Power Dissipation 54.3 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.009 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6679BGH-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP6679BGH-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP6679BGH-HF incluyen: 2SK711, AP60T06GP-HF, AP60T10GI-HF, AP60T10GP, AP60T10GS, AP62T03GH, AP62T03GJ, AP6618GM-HF, AP6677GH, AP6679BGI-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP6679BGH-HF?

El AP6679BGH-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP6679BGH-HF?

El AP6679BGH-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 63.000 A.

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