AP6679BGM-HF

MOSFET P-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 13.500 A
RDSon 0.0090 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 11 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 520 pF
|Id| - Maximum Drain Current 13.5 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.009 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6679BGM-HF:

2SK711 MOSFET N-Channel AP60T10GP MOSFET N-Channel AP60T10GS MOSFET N-Channel AP62T03GH MOSFET N-Channel AP62T03GJ MOSFET N-Channel AP6618GM-HF MOSFET N-Channel AP6677GH MOSFET P-Channel AP6679BGH-HF MOSFET P-Channel AP6679BGI-HF MOSFET P-Channel AP6679BGP-HF MOSFET P-Channel AP6679GH-HF MOSFET P-Channel AP6679GI-HF MOSFET P-Channel AP6679GJ-HF MOSFET P-Channel AP6679GM-HF MOSFET P-Channel AP6679GP MOSFET P-Channel AP6679GP-A-HF MOSFET P-Channel AP6679GR MOSFET P-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 5N65 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP6679BGM-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP6679BGM-HF incluyen: 2SK711, AP60T10GP, AP60T10GS, AP62T03GH, AP62T03GJ, AP6618GM-HF, AP6677GH, AP6679BGH-HF, AP6679BGI-HF, AP6679BGP-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP6679BGM-HF?

El AP6679BGM-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP6679BGM-HF?

El AP6679BGM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 13.500 A.

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