AP6679BGP-HF
MOSFET
P-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
63.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
54.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 67 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 520 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 63 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 54.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6679BGP-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP6679BGP-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP6679BGP-HF incluyen: 20N50, 2SK711, AP60T10GS, AP62T03GH, AP62T03GJ, AP6618GM-HF, AP6677GH, AP6679BGH-HF, AP6679BGI-HF, AP6679BGM-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP6679BGP-HF?
El AP6679BGP-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP6679BGP-HF?
El AP6679BGP-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 63.000 A.
