AP6679GM-HF

MOSFET P-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 14.000 A
RDSon 0.0090 Ω
Vgs Max. 25.000 V
Potencia Max. 2.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 11 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 780 pF
|Id| - Maximum Drain Current 14 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 25 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.009 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6679GM-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP6679GM-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP6679GM-HF incluyen: 12N60, 2SK711, AP6677GH, AP6679BGH-HF, AP6679BGI-HF, AP6679BGM-HF, AP6679BGP-HF, AP6679GH-HF, AP6679GI-HF, AP6679GJ-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP6679GM-HF?

El AP6679GM-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP6679GM-HF?

El AP6679GM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.

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