AP6679GM-HF
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
14.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 780 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6679GM-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP6679GM-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP6679GM-HF incluyen: 12N60, 2SK711, AP6677GH, AP6679BGH-HF, AP6679BGI-HF, AP6679BGM-HF, AP6679BGP-HF, AP6679GH-HF, AP6679GI-HF, AP6679GJ-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP6679GM-HF?
El AP6679GM-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP6679GM-HF?
El AP6679GM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.
