AP6679GR
MOSFET
P-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
75.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
89.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 960 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 89 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6679GR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP6679GR?
Los reemplazos compatibles para el AP6679GR incluyen: 2SK711, AP6679BGM-HF, AP6679BGP-HF, AP6679GH-HF, AP6679GI-HF, AP6679GJ-HF, AP6679GM-HF, AP6679GP, AP6679GP-A-HF, AP6679GS-A-HF, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP6679GR?
El AP6679GR es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del AP6679GR?
El AP6679GR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 75.000 A.