AP6679GS-A-HF
MOSFET
P-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
65.000 A
RDSon
0.0135 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
89.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 40 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 960 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 65 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 89 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0135 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6679GS-A-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP6679GS-A-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP6679GS-A-HF incluyen: 2SK711, AP6679BGP-HF, AP6679GH-HF, AP6679GI-HF, AP6679GJ-HF, AP6679GM-HF, AP6679GP, AP6679GP-A-HF, AP6679GR, 2SK662, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP6679GS-A-HF?
El AP6679GS-A-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AP6679GS-A-HF?
El AP6679GS-A-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 65.000 A.