AP6680AGM
MOSFET
N-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.0110 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.011 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6680AGM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP6680AGM?
Los reemplazos compatibles para el AP6680AGM incluyen: 18N50, 2SK711, 2SK664, 2SK665, 2SK669, 2SK704, 2SK709, 2SK720A, 2SK727-01, 2SK787, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP6680AGM?
El AP6680AGM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP6680AGM?
El AP6680AGM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.