AP6680BGYT-HF
MOSFET
N-Channel
PMPAK3X3
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
16.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.570 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PMPAK3X3 |
| tr - Rise Time | 6.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 210 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 16 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.57 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6680BGYT-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP6680BGYT-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP6680BGYT-HF incluyen: 2SK711, 2SK669, 2SK704, 2SK709, 2SK720A, 2SK727-01, 2SK787, AP6680AGM, AP6680BGM-HF, AP6680CGYT-HF, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP6680BGYT-HF?
El AP6680BGYT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK3X3.
¿Cual es el voltaje maximo del AP6680BGYT-HF?
El AP6680BGYT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.000 A.