AP6800GEO

MOSFET N-Channel TSSOP-8

Parametros Principales

Vds Max. 20.000 V
Id Max. 6.000 A
RDSon 0.0200 Ω
Vgs Max. 10.000 V
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TSSOP-8
tr - Rise Time 18.4 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 315 pF
|Id| - Maximum Drain Current 6 A
Pd - Maximum Power Dissipation 1 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 10 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.02 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6800GEO:

2SK711 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK727-01 MOSFET N-Channel 2SK787 MOSFET N-Channel AP6680AGM MOSFET N-Channel AP6680BGM-HF MOSFET N-Channel AP6680BGYT-HF MOSFET N-Channel AP6680CGYT-HF MOSFET N-Channel AP6680SGYT-HF MOSFET N-Channel AP6683GYT-HF MOSFET P-Channel AP6900GSM MOSFET N-Channel AP6901AGSM-HF MOSFET N-Channel AP6901GSM-HF MOSFET N-Channel 2SK800 MOSFET N-Channel 2SK805 MOSFET N-Channel 2SK806 MOSFET N-Channel 2SK808 MOSFET N-Channel 2SK808A MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP6800GEO?

Los reemplazos compatibles para el AP6800GEO incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK727-01, 2SK787, AP6680AGM, AP6680BGM-HF, AP6680BGYT-HF, AP6680CGYT-HF, AP6680SGYT-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP6800GEO?

El AP6800GEO es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSSOP-8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP6800GEO?

El AP6800GEO tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.

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