AP6900GSM
MOSFET
N-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
5.700 A
RDSon
0.0300 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.400 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 7(6) nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160(205) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.7(9.8) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.4(2.2) W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.03(0.022) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6900GSM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP6900GSM?
Los reemplazos compatibles para el AP6900GSM incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK787, AP6680AGM, AP6680BGM-HF, AP6680BGYT-HF, AP6680CGYT-HF, AP6680SGYT-HF, AP6683GYT-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP6900GSM?
El AP6900GSM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP6900GSM?
El AP6900GSM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.700 A.