AP6950GYT-HF
MOSFET
N-Channel
PMPAK3X3
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
8.300 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.900 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PMPAK3X3 |
| tr - Rise Time | 6(5) nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70(120) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.3(11.8) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.9(2.2) W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20(12) V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018(0.0105) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP6950GYT-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP6950GYT-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP6950GYT-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP6922GMT-HF, AP6923GMT-HF, AP6924GEY, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP6950GYT-HF?
El AP6950GYT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK3X3.
¿Cual es el voltaje maximo del AP6950GYT-HF?
El AP6950GYT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.300 A.