AP70L02GP
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
66.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
66.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 95 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 475 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 66 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 66 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP70L02GP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP70L02GP?
Los reemplazos compatibles para el AP70L02GP incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON6414A, AP6950GYT-HF, AP6970GN2-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP70L02GP?
El AP70L02GP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP70L02GP?
El AP70L02GP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 66.000 A.