AP75N07GW
MOSFET
N-Channel
TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
75.000 V
Id Max.
90.000 A
RDSon
0.0110 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
250.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P |
| tr - Rise Time | 73 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 690 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 90 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 75 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.011 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP75N07GW:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP75N07GW?
Los reemplazos compatibles para el AP75N07GW incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP70T15GI-HF, AP70T15GP-HF, AP72T02GH-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP75N07GW?
El AP75N07GW es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del AP75N07GW?
El AP75N07GW tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 75.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 90.000 A.
