AP75N07GW

MOSFET N-Channel TO-3P

Parametros Principales

Vds Max. 75.000 V
Id Max. 90.000 A
RDSon 0.0110 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 250.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-3P
tr - Rise Time 73 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 690 pF
|Id| - Maximum Drain Current 90 A
Pd - Maximum Power Dissipation 250 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 75 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.011 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP75N07GW:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP75N07GW?

Los reemplazos compatibles para el AP75N07GW incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP70T15GI-HF, AP70T15GP-HF, AP72T02GH-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP75N07GW?

El AP75N07GW es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.

¿Cual es el voltaje maximo del AP75N07GW?

El AP75N07GW tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 75.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 90.000 A.

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