AP80N03GP
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0080 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
83.300 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 100 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 895 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83.3 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.008 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP80N03GP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP80N03GP?
Los reemplazos compatibles para el AP80N03GP incluyen: 20N50, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP02N90P, AP09N20H, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP80N03GP?
El AP80N03GP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP80N03GP?
El AP80N03GP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.