AP80N30W

MOSFET N-Channel TO-3P

Parametros Principales

Vds Max. 300.000 V
Id Max. 36.000 A
RDSon 0.0660 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 208.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-3P
tr - Rise Time 90 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 525 pF
|Id| - Maximum Drain Current 36 A
Pd - Maximum Power Dissipation 208 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 300 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.066 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP80N30W:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel AP75T10AGP MOSFET N-Channel AP75T10BGP-HF MOSFET N-Channel AP75T10GI-HF MOSFET N-Channel AP75T10GP-HF MOSFET N-Channel AP75T10GS MOSFET N-Channel AP75T12GI-HF MOSFET N-Channel AP75T12GP-HF MOSFET N-Channel AP78T10GP-HF MOSFET N-Channel AP80T10GP-HF MOSFET N-Channel AP80T10GR-HF MOSFET N-Channel AP83T02GH-HF MOSFET N-Channel AP83T02GJ-HF MOSFET N-Channel AP83T03AGH-HF MOSFET N-Channel AP83T03AGMT-HF MOSFET N-Channel AP83T03GH-HF MOSFET N-Channel AP83T03GJ-HF MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP80N30W?

Los reemplazos compatibles para el AP80N30W incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP75T10AGP, AP75T10BGP-HF, AP75T10GI-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP80N30W?

El AP80N30W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.

¿Cual es el voltaje maximo del AP80N30W?

El AP80N30W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 300.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 36.000 A.

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