AP80T10GR
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0095 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
166.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 58 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 550 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 166 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0095 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP80T10GR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP80T10GR?
Los reemplazos compatibles para el AP80T10GR incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N70R-A, AP09N90CW, AP16N50P, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP80T10GR?
El AP80T10GR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del AP80T10GR?
El AP80T10GR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.