AP85T08GS
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
75.000 A
RDSon
0.0130 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
138.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 100 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 670 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 138 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.013 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP85T08GS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP85T08GS?
Los reemplazos compatibles para el AP85T08GS incluyen: 2N7002, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N70R-A, AP2761S-A, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP85T08GS?
El AP85T08GS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AP85T08GS?
El AP85T08GS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 75.000 A.