AP85T10AGI-HF

MOSFET N-Channel TO-220CFM

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 50.000 A
RDSon 0.0080 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 42.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-220CFM
tr - Rise Time 88 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 650 pF
|Id| - Maximum Drain Current 50 A
Pd - Maximum Power Dissipation 42 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.008 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP85T10AGI-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP85T10AGI-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP85T10AGI-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP83T03GM-HF, AP83T03GMT-HF, AP85T03GH, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP85T10AGI-HF?

El AP85T10AGI-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220CFM.

¿Cual es el voltaje maximo del AP85T10AGI-HF?

El AP85T10AGI-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 50.000 A.

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