AP85T10GP
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
120.000 A
RDSon
0.0080 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
300.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 95 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 770 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 120 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.008 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP85T10GP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP85T10GP?
Los reemplazos compatibles para el AP85T10GP incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOY2610E, AP75N07AGP, AP75N07GP, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP85T10GP?
El AP85T10GP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP85T10GP?
El AP85T10GP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 120.000 A.