AP86T02GJB
MOSFET
N-Channel
TO251S
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
75.000 A
RDSon
0.0060 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251S |
| tr - Rise Time | 105 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 490 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.006 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP86T02GJB:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP86T02GJB?
Los reemplazos compatibles para el AP86T02GJB incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP02N90P, AP04N60J, AP09N20H, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP86T02GJB?
El AP86T02GJB es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251S.
¿Cual es el voltaje maximo del AP86T02GJB?
El AP86T02GJB tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 75.000 A.