AP88N30W
MOSFET
N-Channel
TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
300.000 V
Id Max.
48.000 A
RDSon
0.0480 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P |
| tr - Rise Time | 142 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1775 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 48 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 300 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.048 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP88N30W:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP88N30W?
Los reemplazos compatibles para el AP88N30W incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP85U03GH-HF, AP85U03GM-HF, AP85U03GMT-HF, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP88N30W?
El AP88N30W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del AP88N30W?
El AP88N30W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 300.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 48.000 A.