AP90T03GJ
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
75.000 A
RDSon
0.0040 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
96.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 83 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1010 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 96 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.004 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP90T03GJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP90T03GJ?
Los reemplazos compatibles para el AP90T03GJ incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP85U03GP-HF, AP86T02GH-HF, AP86T02GJ-HF, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP90T03GJ?
El AP90T03GJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP90T03GJ?
El AP90T03GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 75.000 A.