AP9510GM
MOSFET
NP-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
6.900 A
RDSon
0.0280 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 7(8) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160(180) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.9(5.3) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.028(0.055) Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el AP9510GM?
El AP9510GM es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9510GM?
El AP9510GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.900 A.