AP9561GM

MOSFET P-Channel SO-8

Parametros Principales

Vds Max. 40.000 V
Id Max. 9.400 A
RDSon 0.0180 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 25.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO-8
tr - Rise Time 8 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 360 pF
|Id| - Maximum Drain Current 9.4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 25 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.018 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9561GM:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP9561GM?

Los reemplazos compatibles para el AP9561GM incluyen: 20N60, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9560GS-HF, AP9561AGH-HF, AP9561AGI-HF, AP9561AGJ-HF, AP9561AGM-HF, AP9561GH-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP9561GM?

El AP9561GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP9561GM?

El AP9561GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.400 A.

Scroll al inicio