AP9561GM
MOSFET
P-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
9.400 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 360 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9561GM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9561GM?
Los reemplazos compatibles para el AP9561GM incluyen: 20N60, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9560GS-HF, AP9561AGH-HF, AP9561AGI-HF, AP9561AGJ-HF, AP9561AGM-HF, AP9561GH-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9561GM?
El AP9561GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9561GM?
El AP9561GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.400 A.
