AP9563M
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
10.200 A
RDSon
0.0100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 335 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.01 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9563M:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9563M?
Los reemplazos compatibles para el AP9563M incluyen: AO4407, AP2309AGN, AP4953M, AP9435GG, AP9435GK, AP9435K, AP9579GM, APM2301AC, APM2303AC, APM2305AC.
¿Que tipo de transistor es el AP9563M?
El AP9563M es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9563M?
El AP9563M tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.200 A.