AP9565BGJ-HF
MOSFET
P-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
17.000 A
RDSon
0.0520 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 17 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 110 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 17 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.052 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9565BGJ-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9565BGJ-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP9565BGJ-HF incluyen: 10N60, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK4057, 2SK3296, 2SK3296-S, 2SK3296-ZK, 2SK3296-ZJ, AP9565AGH, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9565BGJ-HF?
El AP9565BGJ-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9565BGJ-HF?
El AP9565BGJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 17.000 A.