AP9565GEH
MOSFET
P-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
24.000 A
RDSon
0.0380 Ω
Vgs Max.
16.000 V
Potencia Max.
35.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 150 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 24 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 35.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.038 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9565GEH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9565GEH?
Los reemplazos compatibles para el AP9565GEH incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK3296-S, 2SK3296-ZK, 2SK3296-ZJ, AP9565AGH, AP9565AGJ, AP9565BGH-HF, AP9565BGJ-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9565GEH?
El AP9565GEH es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9565GEH?
El AP9565GEH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 24.000 A.