AP9567GM
MOSFET
P-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 135 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9567GM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9567GM?
Los reemplazos compatibles para el AP9567GM incluyen: 2N7000, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9565BGM-HF, AP9565GEH, AP9565GEJ, AP9565GEM, AP9566GH, AP9566GM, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9567GM?
El AP9567GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9567GM?
El AP9567GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.