AP9575AGM-HF

MOSFET P-Channel SO-8

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 4.600 A
RDSon 0.0640 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO-8
tr - Rise Time 7 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 210 pF
|Id| - Maximum Drain Current 4.6 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.064 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9575AGM-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP9575AGM-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP9575AGM-HF incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK2632LS, 2SK1413, 2SK1936-01, 2SK2640-01MR, 2SK2771-01R, AP9575AGH-HF, AP9575AGI-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP9575AGM-HF?

El AP9575AGM-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP9575AGM-HF?

El AP9575AGM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.600 A.

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