AP9575AGM-HF
MOSFET
P-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
4.600 A
RDSon
0.0640 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 210 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.064 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9575AGM-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9575AGM-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP9575AGM-HF incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK2632LS, 2SK1413, 2SK1936-01, 2SK2640-01MR, 2SK2771-01R, AP9575AGH-HF, AP9575AGI-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9575AGM-HF?
El AP9575AGM-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9575AGM-HF?
El AP9575AGM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.600 A.
