AP9576GJ
MOSFET
P-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
14.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
36.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 120 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 36.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9576GJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9576GJ?
Los reemplazos compatibles para el AP9576GJ incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9575AGS-HF, AP9575GH-HF, AP9575GI-HF, AP9575GJ-HF, AP9575GM, AP9575GP-HF, AP9575GS-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9576GJ?
El AP9576GJ es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9576GJ?
El AP9576GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.