AP9576GM
MOSFET
P-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
0.0900 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 120 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.09 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9576GM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9576GM?
Los reemplazos compatibles para el AP9576GM incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9575GH-HF, AP9575GI-HF, AP9575GJ-HF, AP9575GM, AP9575GP-HF, AP9575GS-HF, AP9576GH, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9576GM?
El AP9576GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9576GM?
El AP9576GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.