AP9916J
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
18.000 V
Id Max.
35.000 A
RDSon
0.0250 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 98 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 258 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 35 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 18 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.025 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9916J:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9916J?
Los reemplazos compatibles para el AP9916J incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9916H, 2SK1202, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705.
¿Que tipo de transistor es el AP9916J?
El AP9916J es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9916J?
El AP9916J tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 18.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 35.000 A.