AP9965GEH

MOSFET N-Channel TO-252

Parametros Principales

Vds Max. 40.000 V
Id Max. 27.000 A
RDSon 0.0280 Ω
Vgs Max. 16.000 V
Potencia Max. 31.250 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-252
tr - Rise Time 6.7 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 90 pF
|Id| - Maximum Drain Current 27 A
Pd - Maximum Power Dissipation 31.25 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 16 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.028 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9965GEH:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP9965GEH?

Los reemplazos compatibles para el AP9965GEH incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP9962GM-HF, AP9962GMA, AP9963AGP-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP9965GEH?

El AP9965GEH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP9965GEH?

El AP9965GEH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 27.000 A.

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